尊敬的代理商伙伴：
为助力您在晶圆厂及高效研究所精准推广 Allwin21 的设备与升级服务，现将我司聚焦化合物半导体行业的核心产品、关键特点及服务优势整理如下，供您推广使用。
一、公司核心优势
Allwin21 成立于 2000 年，是 AG Associates Heatpulse 610 快速热工艺设备的独家授权制造商，深耕半导体设备领域二十余年。我们专注于化合物半导体（III-V 族、II-VI 族等）相关设备的研发、生产与升级，核心优势体现在：
- 技术积淀深厚：传承数十年量产验证的工艺技术，融合自主创新的实时控制技术，确保设备性能领先。
- 定制化能力突出：可针对存量设备提供集成化控制系统、机器人晶圆传输系统及关键部件升级，解决 obsolete 部件难题。
- 全球服务保障：拥有经验丰富的本地工程师团队，提供现场安装、培训、维护及快速备件交付，MTBF 达 450 小时以上，保障 95% 设备 uptime。
- 全产业链覆盖：产品涵盖工艺处理、薄膜沉积、表面处理、计量检测全环节，适配 GaAs、GaN、InP、SiC 等主流化合物半导体材料。
二、核心产品及化合物半导体行业适配特点
（一）快速热工艺系统（AccuThermo AW 系列）
作为化合物半导体热处理核心设备，适配离子注入退火、接触合金化、氮化物形成等关键工艺，多款型号精准匹配不同场景需求。
| 型号 | 核心参数 | 化合物半导体适配优势 |
|---|---|---|
| AccuThermo AW 610M | 支持 2-6 英寸晶圆，控温范围 150-1150℃，温度均匀性 ±5℃（6 英寸晶圆 1150℃），升温速率 10-120℃/s | 针对中小尺寸化合物晶圆优化，金镀铝腔室散射 IR 光，保障 GaAs、InP 退火工艺的高重复性（±0.5℃ wafer-to-wafer） |
| AccuThermo AW 820M | 支持 2-8 英寸晶圆，控温范围 150-1150℃，温度均匀性 ±8℃（8 英寸晶圆 1150℃），27 组 1.2KW 加热灯 | 适配大尺寸 SiC、GaN 晶圆工艺，10 区灯组控制实现精准控温，满足功率器件制造的高温稳定需求 |
| AccuThermo AW 820V | 支持真空环境（50mTorr-13Torr），控温精度 ±0.5℃，可选 1500℃高温配置 | 适配需要低氧 / 真空氛围的化合物半导体工艺（如氮化物制备），快速响应 K 型热电偶保障温度控制精度 |
| AccuThermo AW 820R | 全自动运行，支持 3-8 英寸晶圆，集成 3 轴固体机器臂，双 O 型圈密封 | 量产级设备，O₂传感器适配氧敏感型化合物工艺，机器臂传输提升 throughput，满足高效研究所及晶圆厂量产需求 |
共性核心特点：采用先进 PID 模糊逻辑控制技术，搭配实时 PC 控制系统，支持多配方存储与工艺数据追溯；镀金铝腔室 + 石英隔离管设计，降低热预算的同时避免污染；PowerSum 技术可保护贵重化合物晶圆，提升良率。
（二）溅射沉积系统（AccuSputter AW 4450）
适配化合物半导体的金属电极沉积、绝缘层制备等工艺，可处理 Al、Au、Ti/W、SiO₂、Si₃N₄等多种靶材。
核心优势：
- 工艺灵活性：支持 DC、RF 溅射及脉冲 DC 选项，可实现共溅射、反应溅射，适配 GaN 基器件的电极沉积与钝化层制备。
- 高均匀性：8 英寸 Delta 阴极（可选 2-6 英寸）+ 托盘旋转定位控制，保障薄膜均匀性，提升器件一致性。
- 真空性能优异：UHV 设计 + 低温泵（1000L/s 抽速），满足高纯度薄膜沉积需求，适配 InSnO 等透明导电膜制备。
- 低成本升级：可对 Perkin-Elmer 44XX 系列旧设备升级，替换 obsolete 控制器，保留原有腔体，降低设备更新成本。
（三）等离子体灰化 / 去胶系统（Plasma Asher Descum 系列）
针对化合物半导体光刻后残留去除，适配 GaAs、InP、GaN、SiC 晶圆的光刻胶剥离与表面清洁。
| 型号 | 关键性能 | 行业适配价值 |
|---|---|---|
| AW-105R | 13.56MHz RF，去胶速率 0.5-1.5μm/min（200-250℃），损伤 CV<0.1V | 低 RF 损伤设计，适配 GaAs 射频器件的光刻胶剥离，避免器件性能退化 |
| AW-10R | 支持 8 英寸晶圆，机器人自动传输，均匀性 ±5%（去胶），选择性 > 1000:1 | 量产级设备，满足大尺寸 SiC 晶圆的高效去胶需求，95% uptime 保障生产连续性 |
| AW-1008 | 2.45GHz 微波等离子体，去胶速率 > 8μm/min（负胶），无 RF 损伤 | 针对对 RF 敏感的化合物半导体（如 InP 光电探测器），微波激励避免离子损伤，提升器件可靠性 |
| AW-B3000 | 批处理机型，throughput 达 75WPH，成本低，可选法拉第笼降低损伤 | 适配研究所小批量多规格样品处理，法拉第笼设计适配低损伤需求的化合物晶圆工艺 |
（四）等离子体刻蚀系统（Plasma Etch/RIE 系列）
满足化合物半导体的图形化刻蚀需求，涵盖多材料刻蚀场景。
核心型号与适配场景：
- AW-303R：13.56MHz RF，刻蚀速率 > 2000A/min（热氧化层），均匀性 ±3-5%，损伤 CV<0.1V，适配 SiC、GaN 的介质刻蚀与接触孔制备。
- AW-2001R：2.45GHz 微波激励，无 RF 损伤，均匀性 ±3%（100mm 晶圆），适配 InP、GaAs 等敏感材料的刻蚀，保障光电器件性能。
- AW-901eR/AW-903eR：分别针对多晶硅 / 氮化物、氧化物刻蚀优化，刻蚀选择性 2-20:1，满足化合物半导体异质结构的精准刻蚀需求。
核心特点：集成 3 轴固体机器臂，支持单晶圆自动处理；4 路气体管路 + MFC 精准控制，适配不同刻蚀气体组合；实时工艺监控与 Recipe 管理，保障刻蚀一致性。
（五）金属膜计量系统（AWgage-150/200）
用于化合物半导体金属电极的膜厚与方块电阻检测，为工艺优化提供数据支撑。
核心优势：
- 非接触测量：采用 30 年验证的涡流技术，避免损伤 GaAs、InP 等脆弱晶圆表面。
- 宽量程覆盖：方块电阻 1mΩ/sq-19,990Ω/sq，膜厚 100Å-27μm，适配从薄电极到厚金属层的检测需求。
- 高重复性：低量程测量偏差仅 ±1%，支持 1-9 点测试，精准反映晶圆面内均匀性。
- 便捷适配：AWgage-150 支持 2-6 英寸晶圆，AWgage-200 支持 5-8 英寸晶圆，无需硬件更换即可切换尺寸。
三、设备升级服务
针对化合物半导体行业大量存量设备（如 AG Associates Heatpulse 系列、Perkin-Elmer 44XX 系列、Gasonics Aura 系列等），提供高性价比升级方案，解决老旧设备性能不足、备件短缺、无法联网等问题。
（一）升级核心内容
- 控制系统升级：替换 obsolete 控制器为 Allwin21 AW 集成控制系统，配备 15 英寸触摸屏 GUI，支持实时数据采集与 Recipe 管理。
- 机械系统升级：加装 3 轴固体机器人晶圆传输系统，替换老旧升降机构，提升传输效率与稳定性。
- 工艺性能升级：集成先进温度控制模块、气体流量精准控制单元，提升工艺重复性与均匀性。
- 功能拓展：可选 GEM/SECS II 接口，实现与晶圆厂 MES 系统对接；增加 EOP 终点检测功能，优化工艺控制。
（二）升级价值
- 成本优势：仅为新设备 1/3-1/2 成本，延长设备生命周期，避免重复投资。
- 性能提升：升级后设备均匀性、重复性达到新设备水平，满足化合物半导体先进工艺需求。
- 运维便捷：新控制系统支持远程诊断与快速校准，降低维护成本，MTTR 缩短至 3.5 小时以内。
四、推广重点场景与客户价值
（一）目标客户
- 化合物半导体晶圆厂（GaAs 射频器件、GaN 功率器件、SiC 器件制造）；
- 高效研究所（III-V 族光电材料与器件、纳米半导体、MEMS 研发）；
- 从事老旧半导体设备改造的制造企业。
（二）客户核心价值主张
- 量产型客户：高 uptime（95%）+ 高重复性（±0.5℃/±3% 均匀性）保障稳定量产，GEM/SECS II 接口实现工厂自动化集成；
- 研发型客户：设备多尺寸适配 + 工艺灵活可调，支持快速迭代研发需求，非接触测量等技术保护敏感样品；
- 存量设备用户：升级服务实现 “旧设备焕新”，避免备件停产风险，提升工艺性能的同时降低投资成本。
五、支持与合作
- 技术支持：提供设备演示、工艺方案定制及现场技术培训，协助客户完成工艺验证；
- 备件保障：全球备件中心提供快速交付，保障设备连续运行；
- 市场物料：提供产品手册、应用案例等推广资料，支持联合推广活动。
如需进一步了解产品细节或定制推广方案，可随时联系：
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