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Spare Parts for AccuThermo AW820R
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Spare Parts for AccuThermo AW610M
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Spare Parts Form
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Conduct Thin Film Metrology Selection and Configuration Form
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AccuThermo AW820V Vacuum RTP System
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RTP Selection and Configuration Form
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AW610M
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Allwin21 化合物半导体行业核心产品及服务推广
一、公司核心优势
- 技术积淀深厚:传承数十年量产验证的工艺技术,融合自主创新的实时控制技术,确保设备性能领先。
- 定制化能力突出:可针对存量设备提供集成化控制系统、机器人晶圆传输系统及关键部件升级,解决 obsolete 部件难题。
- 全球服务保障:拥有经验丰富的本地工程师团队,提供现场安装、培训、维护及快速备件交付,MTBF 达 450 小时以上,保障 95% 设备 uptime。
- 全产业链覆盖:产品涵盖工艺处理、薄膜沉积、表面处理、计量检测全环节,适配 GaAs、GaN、InP、SiC 等主流化合物半导体材料。
二、核心产品及化合物半导体行业适配特点
(一)快速热工艺系统(AccuThermo AW 系列)
| 型号 | 核心参数 | 化合物半导体适配优势 |
|---|---|---|
| AccuThermo AW 610M | 支持 2-6 英寸晶圆,控温范围 150-1150℃,温度均匀性 ±5℃(6 英寸晶圆 1150℃),升温速率 10-120℃/s | 针对中小尺寸化合物晶圆优化,金镀铝腔室散射 IR 光,保障 GaAs、InP 退火工艺的高重复性(±0.5℃ wafer-to-wafer) |
| AccuThermo AW 820M | 支持 2-8 英寸晶圆,控温范围 150-1150℃,温度均匀性 ±8℃(8 英寸晶圆 1150℃),27 组 1.2KW 加热灯 | 适配大尺寸 SiC、GaN 晶圆工艺,10 区灯组控制实现精准控温,满足功率器件制造的高温稳定需求 |
| AccuThermo AW 820V | 支持真空环境(50mTorr-13Torr),控温精度 ±0.5℃,可选 1500℃高温配置 | 适配需要低氧 / 真空氛围的化合物半导体工艺(如氮化物制备),快速响应 K 型热电偶保障温度控制精度 |
| AccuThermo AW 820R | 全自动运行,支持 3-8 英寸晶圆,集成 3 轴固体机器臂,双 O 型圈密封 | 量产级设备,O₂传感器适配氧敏感型化合物工艺,机器臂传输提升 throughput,满足高效研究所及晶圆厂量产需求 |
(二)溅射沉积系统(AccuSputter AW 4450)
- 工艺灵活性:支持 DC、RF 溅射及脉冲 DC 选项,可实现共溅射、反应溅射,适配 GaN 基器件的电极沉积与钝化层制备。
- 高均匀性:8 英寸 Delta 阴极(可选 2-6 英寸)+ 托盘旋转定位控制,保障薄膜均匀性,提升器件一致性。
- 真空性能优异:UHV 设计 + 低温泵(1000L/s 抽速),满足高纯度薄膜沉积需求,适配 InSnO 等透明导电膜制备。
- 低成本升级:可对 Perkin-Elmer 44XX 系列旧设备升级,替换 obsolete 控制器,保留原有腔体,降低设备更新成本。
(三)等离子体灰化 / 去胶系统(Plasma Asher Descum 系列)
| 型号 | 关键性能 | 行业适配价值 |
|---|---|---|
| AW-105R | 13.56MHz RF,去胶速率 0.5-1.5μm/min(200-250℃),损伤 CV<0.1V | 低 RF 损伤设计,适配 GaAs 射频器件的光刻胶剥离,避免器件性能退化 |
| AW-10R | 支持 8 英寸晶圆,机器人自动传输,均匀性 ±5%(去胶),选择性 > 1000:1 | 量产级设备,满足大尺寸 SiC 晶圆的高效去胶需求,95% uptime 保障生产连续性 |
| AW-1008 | 2.45GHz 微波等离子体,去胶速率 > 8μm/min(负胶),无 RF 损伤 | 针对对 RF 敏感的化合物半导体(如 InP 光电探测器),微波激励避免离子损伤,提升器件可靠性 |
| AW-B3000 | 批处理机型,throughput 达 75WPH,成本低,可选法拉第笼降低损伤 | 适配研究所小批量多规格样品处理,法拉第笼设计适配低损伤需求的化合物晶圆工艺 |
(四)等离子体刻蚀系统(Plasma Etch/RIE 系列)
- AW-303R:13.56MHz RF,刻蚀速率 > 2000A/min(热氧化层),均匀性 ±3-5%,损伤 CV<0.1V,适配 SiC、GaN 的介质刻蚀与接触孔制备。
- AW-2001R:2.45GHz 微波激励,无 RF 损伤,均匀性 ±3%(100mm 晶圆),适配 InP、GaAs 等敏感材料的刻蚀,保障光电器件性能。
- AW-901eR/AW-903eR:分别针对多晶硅 / 氮化物、氧化物刻蚀优化,刻蚀选择性 2-20:1,满足化合物半导体异质结构的精准刻蚀需求。
(五)金属膜计量系统(AWgage-150/200)
- 非接触测量:采用 30 年验证的涡流技术,避免损伤 GaAs、InP 等脆弱晶圆表面。
- 宽量程覆盖:方块电阻 1mΩ/sq-19,990Ω/sq,膜厚 100Å-27μm,适配从薄电极到厚金属层的检测需求。
- 高重复性:低量程测量偏差仅 ±1%,支持 1-9 点测试,精准反映晶圆面内均匀性。
- 便捷适配:AWgage-150 支持 2-6 英寸晶圆,AWgage-200 支持 5-8 英寸晶圆,无需硬件更换即可切换尺寸。
三、设备升级服务
(一)升级核心内容
- 控制系统升级:替换 obsolete 控制器为 Allwin21 AW 集成控制系统,配备 15 英寸触摸屏 GUI,支持实时数据采集与 Recipe 管理。
- 机械系统升级:加装 3 轴固体机器人晶圆传输系统,替换老旧升降机构,提升传输效率与稳定性。
- 工艺性能升级:集成先进温度控制模块、气体流量精准控制单元,提升工艺重复性与均匀性。
- 功能拓展:可选 GEM/SECS II 接口,实现与晶圆厂 MES 系统对接;增加 EOP 终点检测功能,优化工艺控制。
(二)升级价值
- 成本优势:仅为新设备 1/3-1/2 成本,延长设备生命周期,避免重复投资。
- 性能提升:升级后设备均匀性、重复性达到新设备水平,满足化合物半导体先进工艺需求。
- 运维便捷:新控制系统支持远程诊断与快速校准,降低维护成本,MTTR 缩短至 3.5 小时以内。
四、推广重点场景与客户价值
(一)目标客户
- 化合物半导体晶圆厂(GaAs 射频器件、GaN 功率器件、SiC 器件制造);
- 高效研究所(III-V 族光电材料与器件、纳米半导体、MEMS 研发);
- 从事老旧半导体设备改造的制造企业。
(二)客户核心价值主张
- 量产型客户:高 uptime(95%)+ 高重复性(±0.5℃/±3% 均匀性)保障稳定量产,GEM/SECS II 接口实现工厂自动化集成;
- 研发型客户:设备多尺寸适配 + 工艺灵活可调,支持快速迭代研发需求,非接触测量等技术保护敏感样品;
- 存量设备用户:升级服务实现 “旧设备焕新”,避免备件停产风险,提升工艺性能的同时降低投资成本。
五、支持与合作
- 技术支持:提供设备演示、工艺方案定制及现场技术培训,协助客户完成工艺验证;
- 备件保障:全球备件中心提供快速交付,保障设备连续运行;
- 市场物料:提供产品手册、应用案例等推广资料,支持联合推广活动。
- 电话:+1-408-778-7788
- 邮箱:sales@allwin21.com
第三代半导体重要单位
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| No | 单位名称 |
| 0 | Allwin21 Corporation |
| 1 | Bardsley Consulting |
| 2 | Narvellux 纳微朗科技(深圳)有限公司 |
| 3 | Nitride Crystals Inc. |
第三代半导体氮化镓功率半导体
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- 规模化应用临界点即将到来
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- 中国(大陆)GaN 项目布局总览表
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第三代半导体与新能源汽车,SiC
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碳化硅(SiC)产业动态及分析
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- SiC 产业重要玩家产业链分析:材料
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Compound Materials Info
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- 韩国功率半导体公司DICIO半导体宣布,他们与日本半导体分销商TOMONI正式签署价值10亿日元(约合人民币4800万元)的出口合同。根据协议,DICIO半导体开发的车规功率半导体将出口到日本,TOMONI则向电动汽车供应商提供DICIO的产品。公开资料显示,TOMONI总部位于东京,拥有14年的专业半导体分销经验。DICIO半导体致力于开发和生产汽车功率半导体和功率模块,由首席执行官Kang Mi-seon创立,她曾是三星电子非存储器设计工程师。
- 3家企业完成最新一轮融资,融资资金将用于SiC材料、设备及应用开发: 芯源新材料:获比亚迪独家投资,完成B轮融资。 优睿谱:完成新一轮数千万元融资,用于多款SiC设备的量产。 ACEL Power:完成A轮融资,开发用于船舶的SiC电机。
- 2家电驱动厂商披露上半年业绩报告,法雷奥:电驱动营收暴跌40%,现代摩比斯:营收同比下降6.6%。
- 智己、Rivian分别再推SiC车型,整车性能重大提升、预定量已超10万辆。新款智己LS7、Rivian R2,新增2款碳化硅车型,新款智己LS7完成工信部申报。Rivian R2预定量破10万辆,美国电动汽车制造商 Rivian于年初推出的中型纯电 SUV Rivian R2,其预定量已超过10万辆。
- 动力电池领域势头仍旧不减。两大汽车企业积极推进电池布局,包括新建工厂、产品交付下线:丰田汽车:将在日本投资新建动力电池工厂,为当地生产的雷克萨斯车型供应动力电池;东风汽车:旗下首个自主CTP动力电池开发项目完成下线交付。
- 主流的汽车电驱功率模块通常采用HPD模块、塑封半桥模块以及T-pak单管,北汽、一汽和联合汽车电子等许多主机厂商和Tier1企业推出了车规级逆变砖产品。中国一汽、英恒科技:发布高集成电驱逆变砖。奥思伟尔:发布SiC单管逆变砖;联合电子:首款逆变砖产品批量交付;海纳川:SiC逆变砖产品首样试制成功。
- 中瓷电子发布公告称,拟收购国联万众剩余股东股权。本次交易完成后,国联万众将成为中瓷电子的全资子公司。中瓷电子向中国电科十三所、数字之光、智芯互联、电科投资、首都科发、顺义科创、国投天津发行股份,购买其合计持有的国联万众股权。
- 陕西宇腾电子科技有限公司(以下简称“宇腾科技”)氮化镓功率芯片技术实现新突破,公司自主研发生产的蓝宝石基氮化镓功率器件(GaN -on-Sapphire HEMT),工作电压(Vds)可达1200V,已进入量产阶段并通过可靠性测试。
- 2023行家极光奖中国SiC衬底十强企业:天岳先进,天科合达,烁科晶体,同光股份,东尼电子,晶瑞电子,南砂晶圆,合盛硅业,科友半导体,世纪金芯。2023行家极光奖中国第三代半导体外延十强企业:瀚天天成,天域半导体,普兴电子,中电化合物,百识电子,晶湛半导体,希科半导体,中科汇珠,芯生代,宇腾电子。2023行家极光奖中国GaN器件十强企业:英诺赛科,安世半导体,能华半导体,镓未来,润新微电子,聚能创芯,致能
京东方华灿光电,量芯微,氮矽科技。2023行家极光奖中国SiC器件设计十强企业:飞锃半导体,瀚薪科技,派恩杰半导体,瑞能半导体,清纯半导体,爱仕特,芯干线,安海半导体,芯塔电子,森国科。2023行家极光奖中国SiC器件IDM十强企业:国基南方,三安半导体,泰科天润,瞻芯电子,基本半导体,中电科13所,方正微,中车时代半导体,士兰微,长飞先进。2023行家极光奖中国SiC模块十强企业:比亚迪半导体,芯聚能,基本半导体国扬电子,芯联动力科技,利普思半导体,斯达半导体,致瞻,南瑞半导体,长联半导体。
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- 香港科技园公司(HKSTP)与麻省光子技术(香港)有限公司(MassPhoton)成功签署了合作协议,将在香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心,并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。
- 极氪007拆解后显示采用了四轮驱动(4WD)汽车,前后轮各有一个电驱动桥,而且前后轮都是“三合一 ”型电驱动桥,集成了驱动电机、逆变器和变速箱。该系统使用 800V 的驱动电压,最大输出功率为 475 kW,最大扭矩为 710 N·m。取下覆盖电机的黑色盖子后,三合一电动车桥就显露出来了。标签显示,该“三合一”电驱动桥是由极氪旗下宁波威睿电动车汽车技术有限公司(VREMT)开发的。换句话说,电动车桥是吉利集团的内部产品。电机和逆变器也由威睿电动研发。
- 纬湃天津SiC模块量产:纬湃汽车电子(天津)有限公司 旗下“新能源智能制造与汽车电子新产品投资项目”仅历时3个月就完成了产线搭建,其中碳化硅功率模块产品已顺利实现量产。包括碳化硅功率模块在内的新能源智能制造与汽车电子新产品投资项目于今年3月成功落户天津经开区;6月,纬湃天津电机产品产量突破100万套.
Semiconductor fabrication
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Semiconductor device fabrication is the process used to manufacture semiconductor devices, typically integrated circuits (ICs) such as computer processors, microcontrollers, and memory chips (such as NAND flash and DRAM).…
